Технические детали

• Пакет/кейс 3-SIP
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 500mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика M-A1
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) 20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 45 pF @ 10 V