Инвентаризация:39278

Технические детали

  • Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 120mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 250mA
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика EMT6

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON

Инвентаризация: 9082

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6

Инвентаризация: 24928

MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6

Инвентаризация: 242

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6

Инвентаризация: 70183

Top