Технические детали

• Пакет/кейс 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора 4 NPN (Quad)
• Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 650mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 10nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
• Частота – переход 200MHz
• Пакет устройств поставщика TO-116