Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Мощность - Макс. 415W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8200pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 15V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 330nC @ 15V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.6V @ 34mA
• Пакет устройств поставщика Module