Инвентаризация:7952

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerUDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 11A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика HUML2020L8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 504 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8

Инвентаризация: 18121

MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8

Инвентаризация: 2350

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT

Инвентаризация: 13310

MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33

Инвентаризация: 8854

MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8

Инвентаризация: 2825

Top