Инвентаризация:7328

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.59mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 195W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.9V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSON-CLIP (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 250 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14000 pF @ 12 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Инвентаризация: 25968

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

Инвентаризация: 13756

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16UQFN

Инвентаризация: 9288

Top