Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 86mA (Tj)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15Ohm @ 300mA, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 740mW (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 400 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 300 pF @ 25 V