Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 640mA (Tj)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 900mOhm @ 3.5A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 740mW (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 10mA
• Пакет устройств поставщика TO-92-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 450 pF @ 25 V