Инвентаризация:7975

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 230mA (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 400mW (Ta), 1W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TO-92-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 60 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Инвентаризация: 26862

RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35

Инвентаризация: 3361

RF DIODE SCHOTTKY 70V 250MW

Инвентаризация: 0

D-SCHOTTKY 70V

Инвентаризация: 1361

TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3

Инвентаризация: 24599

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Инвентаризация: 7101

MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3

Инвентаризация: 2004

MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3

Инвентаризация: 2164

MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3

Инвентаризация: 5340

Top