Инвентаризация:15915

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 175mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 3-PICOSTAR
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.14 nC @ 6 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 236 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 466590

MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 255557

Top