Инвентаризация:1928

Технические детали

  • Пакет/кейс ATPAK (2 Leads+Tab)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 90W (Tc)
  • Пакет устройств поставщика ATPAK
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 250 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13000 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


SENSOR HUMI/TEMP 3.3V I2C 2% SMD

Инвентаризация: 7855

MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3

Инвентаризация: 20516

P-CHANNEL MOSFET,DPAK

Инвентаризация: 1593

Top