Инвентаризация:2264

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.2A (Ta), 13A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 107mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.3W (Ta), 62W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика Power33
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2045 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON

Инвентаризация: 14317

MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON

Инвентаризация: 16229

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP

Инвентаризация: 2102

MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Инвентаризация: 7

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

Top