Инвентаризация:46359

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.9W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 6-WSON (2x2)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 655 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON

Инвентаризация: 10474

MOSFET N-CH 25V 5A 6SON

Инвентаризация: 13434

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

Инвентаризация: 7495

MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON

Инвентаризация: 18940

MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON

Инвентаризация: 52297

Top