Инвентаризация:14081

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.9A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 315mOhm @ 2.4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 880 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Инвентаризация: 16581

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO

Инвентаризация: 4703

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC

Инвентаризация: 19719

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Инвентаризация: 9769

Top