- Модель продукта FDT1600N10ALZ
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:10967
Технические детали
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.6A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2.8A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 10.42W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика SOT-223-4
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.77 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 225 pF @ 50 V