Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 12-SIP Exposed Tab
  • Тип монтажа Through Hole
  • Конфигурация 4 N-Channel
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 5W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1630pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5A, 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250mA
  • Пакет устройств поставщика 12-SIP

Сопутствующие товары


MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP

Инвентаризация: 0

MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP

Инвентаризация: 216

Top