Технические детали

• Пакет/кейс 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel Complementary
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 265mW
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 600mA, 500mA
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 21.3pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 950mV @ 250µA
• Пакет устройств поставщика DFN1010B-6