Технические детали

• Пакет/кейс 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 350mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 45V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 100mV @ 500µA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 15nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
• Частота – переход 100MHz
• Пакет устройств поставщика DFN1010B-6
• Оценка Automotive
• Квалификация AEC-Q101