Инвентаризация:71230

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.5A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 88mOhm @ 500mA, 8V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 3-PICOSTAR
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) -12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.913 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 189 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 48323

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 15679

DIODE ZENER 7.5V 250MW 2DFN

Инвентаризация: 20315

MOSFET 2N-CH 20V 0.2A 6XLLGA

Инвентаризация: 7360

IC BUF NON-INVERT 3.6V 14VQFN

Инвентаризация: 24445

Top