Технические детали

• Тип монтажа Chassis Mount
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 200°C (TJ)
• Прирост 9.4dB
• Мощность - Макс. 350W
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 32.5A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 65V
• Частота – переход 1.215GHz