Технические детали

• Тип монтажа Chassis Mount
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 200°C (TJ)
• Прирост 8.06dB ~ 8.45dB
• Мощность - Макс. 115W
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 65V