Инвентаризация:20251

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 240mOhm @ 7.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 57W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1240 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA

Инвентаризация: 18598

MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

Инвентаризация: 2240

MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8

Инвентаризация: 1217

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Инвентаризация: 2828

MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT

Инвентаризация: 9233

Top