Инвентаризация:17063

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 22A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 96W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 60µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1580 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Инвентаризация: 11535

MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

Инвентаризация: 17323

MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1

Инвентаризация: 6335

MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON

Инвентаризация: 20873

MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8

Инвентаризация: 2745

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Инвентаризация: 2327

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Инвентаризация: 2475

Top