- Модель продукта SSM6L35FU(TE85L,F)
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:4117
Технические детали
- Пакет/кейс 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 200mW
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 180mA, 100mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9.5pF @ 3V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 1.2V Drive
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика US6