- Модель продукта SSM6L09FUTE85LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:36543
Технические детали
- Пакет/кейс 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 300mW
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 400mA, 200mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 20pF @ 5V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 700mOhm @ 200MA, 10V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 100µA
- Пакет устройств поставщика US6
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Инвентаризация: 114001
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Инвентаризация: 19164
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Инвентаризация: 2190
