- Модель продукта 2SK2009TE85LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3352
Технические детали
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50MA, 2.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 200mW (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 100µA
- Пакет устройств поставщика SC-59-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 70 pF @ 3 V