Технические детали

• Пакет/кейс 9-UFBGA, DSBGA
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 P-Channel (Dual) Common Source
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 700mW
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.9A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 595pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 162mOhm @ 1A, 1.8V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 9-DSBGA