Технические детали

• Пакет/кейс 55BT-1
• Тип монтажа Chassis Mount
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 200°C (TJ)
• Прирост 8.5dB
• Мощность - Макс. 12W
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V
• Частота – переход 2GHz
• Пакет устройств поставщика 55BT-1