Технические детали

• Пакет/кейс 12-SIP Exposed Tab
• Тип монтажа Through Hole
• Конфигурация 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 5W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 150pF @ 10V, 320pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 550mOhm @ 2A, 4V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 12-SIP