Технические детали

• Пакет/кейс 10-SIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора 4 NPN (Quad)
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 4W
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1V @ 10mA, 1A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 4V
• Пакет устройств поставщика 10-SIP