Технические детали

• Пакет/кейс 8-SIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора 3 PNP Darlington (Emitter Coupled)
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 3W
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 2V @ 10mA, 3A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 1000 @ 3A, 4V
• Пакет устройств поставщика 8-SIP