Технические детали

• Пакет/кейс 12-SIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 4W
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1.5V @ 6mA, 3A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 2000 @ 3A, 4V
• Частота – переход 75MHz
• Пакет устройств поставщика 12-SIP