Технические детали

• Пакет/кейс 12-SIP
• Тип монтажа Through Hole
• Конфигурация 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 4W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 500V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 770pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика 12-SIP