Инвентаризация:8362

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SMD, Flat Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 7A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 550mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TSMT8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2700 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN

Инвентаризация: 87237

MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F

Инвентаризация: 22075

MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F

Инвентаризация: 59233

Top