- Модель продукта SI2365EDS-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:32925
Технические детали
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.9A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 32mOhm @ 4A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta), 1.7W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
- ВГС (Макс) ±8V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36 nC @ 8 V