Инвентаризация:4198

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.7A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 350mOhm @ 2.6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.4 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 274 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4

Инвентаризация: 12813

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Инвентаризация: 1596

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4

Инвентаризация: 3

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

Инвентаризация: 10639

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Инвентаризация: 8954

MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8

Инвентаризация: 15367

MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Инвентаризация: 17451

Top