Технические детали

• Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.4A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.4W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 6-MicroFET (2x2)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
• ВГС (Макс) ±8V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2805 pF @ 10 V