Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.6A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 791mW (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.7V, 10V
• ВГС (Макс) +2V, -15V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 15 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.45 nC @ 10 V