Технические детали

• Пакет/кейс TO-276AA
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 225°C (TJ)
• Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Tc) (158°C)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 170mOhm @ 8A
• Рассеиваемая мощность (макс.) 200W (Tc)
• Пакет устройств поставщика TO-276
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 720 pF @ 35 V