Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 12-SIP Exposed Tab
  • Тип монтажа Through Hole
  • Конфигурация 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 5W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 320pF @ 10V, 790pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 220mOhm @ 3A, 4V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Пакет устройств поставщика 12-SIP

Сопутствующие товары


MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP

Инвентаризация: 216

MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15ZIP

Инвентаризация: 98

Top