Технические детали

• Пакет/кейс 3-ESIP
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 2V @ 800mA, 8A
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 8A, 4V
• Частота – переход 40MHz
• Пакет устройств поставщика MT-200
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 17 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 180 V
• Мощность - Макс. 200 W