Инвентаризация:13198

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 52W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 432pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.8nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (5x6)
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT

Инвентаризация: 6000

MOSFET 2N-CH 60V 10A POWERFLAT

Инвентаризация: 0

Top