Инвентаризация:19080

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 33mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 550 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON

Инвентаризация: 13092

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

Инвентаризация: 11153

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Инвентаризация: 3831

IC GATE XOR 4CH 2-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 14883

Top