Инвентаризация:57885

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Ta), 22A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PQFN (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1305 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 5.1V 800MW DO219AB

Инвентаризация: 24915

IC TRANSLATOR UNIDIR 14WQFN

Инвентаризация: 7692

Top