Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 462W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 600V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 95A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14400pF @ 25V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 300nC @ 10V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 5mA