Инвентаризация:3537

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-UFBGA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.9A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 31mOhm @ 2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 4-Microfoot
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2240 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC

Инвентаризация: 14156

MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT

Инвентаризация: 2000

MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT

Инвентаризация: 5750

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

Инвентаризация: 3905

Top