- Модель продукта SMUN5216DW1T1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
-
PDF
Инвентаризация:4500
Технические детали
- Пакет/кейс 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Мощность - Макс. 187mW
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V
- Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
- Резистор — база (R1) 4.7kOhms
- Пакет устройств поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB
Инвентаризация: 1647
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Инвентаризация: 10590
