Инвентаризация:10915

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 40A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 40W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.6V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN-EP (3x3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4630 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 20A/20A 8DFN

Инвентаризация: 4837

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

Инвентаризация: 672

Top