Инвентаризация:14240

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerSMD, Flat Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 85A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 196 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9120 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN

Инвентаризация: 41758

DIODE ZENER 5.6V 800MW DO219AB

Инвентаризация: 51667

MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN

Инвентаризация: 6354

Top