Инвентаризация:67538

Технические детали

  • Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 840mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.5A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 305pF @ 15V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TSOT-26

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26

Инвентаризация: 0

MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO

Инвентаризация: 250843

MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

Инвентаризация: 23138

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 2726

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP

Инвентаризация: 47641

MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP

Инвентаризация: 18319

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

Инвентаризация: 24843

Top